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PBSS5130PAP	文件：253.42 Kbytes Page：17 Pages	30V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4130PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4130PAN. Featuresandbenefits •Verylowcollector-emitt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5130QA	文件：244.71 Kbytes Page：17 Pages	30V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5130QA	文件：726.66 Kbytes Page：17 Pages	30V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4130QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5130T	文件：319.79 Kbytes Page：12 Pages	30V;1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •SmallSMDplasticpackage •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:IC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5130T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5130T	文件：54.87 Kbytes Page：7 Pages	30V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •Costeffectivealte	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
E5130
制造商：
ATMEL
制造商全称：
ATMEL Corporation
功能描述：
LOW VOLTAGE CMOS DRIVER CIRCUIT

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更多E5130供应商更新时间2024-5-29 10:33:00

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