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E2081606_PF08127B

MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone

Features • All in one including output matching circuit • Simple external circuit • Simple power control • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ • Lead less thin & Small package : 8.0 × 10.0 mm Typ × 1.5 mm Max • High efficiency : 55 Typ at 35.0 dBm for E-GSM

文件:183.44 Kbytes 页数:16 Pages

RENESAS

瑞萨

E2081606_PF08127B

MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone

Renesas

瑞萨

E2415S-2WR3

MORNSUN(金升阳)
插件

MORNSUN(金升阳)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

MORNSUN(金升阳)

E2415XT-1WR3

MORNSUN(金升阳)
SOT-89-3

MORNSUN(金升阳)

上传:深圳市弘扬芯城科技有限公司

MORNSUN(金升阳)

E28F016SV

INTEL(英特尔)

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

详细参数

  • 型号:

    E2081606_PF08127B

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone

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更多E2081606_PF08127B供应商 更新时间2025-10-7 10:04:00