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DZT658-13	文件：152.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DZT658-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威

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LOGO

DZT658-13

文件：152.51 Kbytes

Page：3 Pages

NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DZT658-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：散装封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

产品属性

产品编号：
DZT658-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，10V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

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