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DXTN07100BFG-7	文件：879.61 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2H7；Package：PowerDI3333-8；100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 Features BVCEO>100V SmallFormFactorThermallyEfficientPackage.EnablesHigher DensityEndProducts IC=2AHighContinuousCurrent ICM=6APeakPulseCurrent LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DXTN07100BFG-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerVDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A POWERDI3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司
DXTP07100BFG-7	文件：787.16 Kbytes Page：7 Pages	100VPNPHIGHPERFORMANCETRANSISTORINPOWERDI3333-8 Features BVCEO>-100V SmallFormFactorThermallyEfficientPackage. EnablesHigherDensityEndProducts IC=-2AHighContinuousCurrent ICM=-6APeakPulseCurrent LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DXTN26070CY-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES/美台 SOT-89(SOT-89-3)	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DXW21BN7511SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	MURATA SMD	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	MuRata

产品属性

产品编号：
DXTN07100BFG-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
175MHz
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
8-PowerVDFN
供应商器件封装：
PowerDI3333-8（SWP）UX 类
描述：
TRANS NPN 100V 2A POWERDI3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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