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DXT751	文件：170.82 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (DXT651) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：170.82 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 60V, 3A, SOT89	Diodes 美台半导体	Diodes
DXT751-13	文件：170.82 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (DXT651) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：170.82 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751Q	文件：470.68 Kbytes Page：6 Pages	60V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM up to -6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Complementary PNP Type: DXT651Q • T 文件：470.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751Q-13	文件：470.68 Kbytes Page：6 Pages	60V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM up to -6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Complementary PNP Type: DXT651Q • T 文件：470.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751_15	文件：170.82 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：170.82 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	transistor-bjt-master-table This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. BVCEO > -60V\nIC = -3A High Continuous Collector Current\nICM up to -6A Peak Pulse Current\n2W Power Dissipation\nComplementary PNP Type: DXT651Q;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXT751-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
DXT751Q
Product Type：
PNP
IC (A)：
3 A
ICM (A)：
6 A
PD (W)：
1 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
40
hFE(@ IC2)：
2 A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/100
VCE (SAT)(Max.2)：
600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
3/300
fT (MHz)：
100 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DXT751	DIODES/美台	25+	SOT-89	34359	DIODES/美台全新特价DXT751即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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