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DXT2011P5	文件：209.74 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5 Features •BVCEO>100V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=10APeakCollectorCurrent •PDupto3.2W •43smallerthanSOT223;60smallerthanTO252 •Maximumheightjust1.1mm •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DXT2011P5	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 100V, 6A, PowerDI5;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DXT2011P5-13	文件：209.74 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5 Features •BVCEO>100V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=10APeakCollectorCurrent •PDupto3.2W •43smallerthanSOT223;60smallerthanTO252 •Maximumheightjust1.1mm •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DXT2011P5_15	文件：207.99 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR POWERDI짰5	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DXT2011P5Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DXT2011P5-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 6A POWERDI5	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DXT2011P5Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 6A POWERDI5	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
DXT2011P5Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
6 A
ICM (A)：
10 A
PD (W)：
3.2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
2 A
hFE(Min 2)：
30
hFE(@ IC2)：
5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
65 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/100
VCE (SAT)(Max.2)：
220 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/100
fT (MHz)：
130 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
PowerDI5

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