DTA123E分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DTA123E |
参数属性 | DTA123E 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST |
功能描述 | DIGITAL TRANSISTOR |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
704.49 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Rohm |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-9 15:04:00 |
人工找货 | DTA123E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DTA123E规格书详情
Features
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kΩ
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see inner circuit) .
3) Only the on/off conditions need to be set
for operation, making the circuit design easy.
4) Complementary NPN Types: DTC114E series
Application
INVERTER, INTERFACE, DRIVER
产品属性
- 产品编号:
DTA123ECAT116
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 20mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SST3
- 描述:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
2447 |
SOT-346 |
115000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-323 |
3600 |
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询价 | ||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
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ROHM |
25+23+ |
SOT323 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-23 |
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21+ |
NA |
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ROHM |
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SOT-23 |
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ROHM |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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