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DTA113ZE3HZG分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DTA113ZE3HZG
厂商型号

DTA113ZE3HZG

参数属性

DTA113ZE3HZG 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

功能描述

PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

丝印标识

E11

封装外壳

SOT-416 / SC-75,SOT-416

文件大小

1.38991 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 17:10:00

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DTA113ZE3HZG规格书详情

Features

1) Built-In Biasing Resistors,

   R1 = 1kΩ, R2 = 10kΩ

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 an inverter circuit without connecting external

 input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set

 for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary NPN Types: DTC113ZE3 HZG

Application

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

产品属性

  • 产品编号:

    DTA113ZE3HZGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    33 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    EMT3

  • 描述:

    PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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