40V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > -40V • IC = -500mA High Collector Current • ICM = -1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Co

文件：132.54 Kbytes 页数：5 Pages

DIODES

美台半导体

40V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > -40V • IC = -500mA High Collector Current • ICM = -1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Co

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DIODES

美台半导体

Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN

PAM

龙鼎微

DIODES/美台
sot89

DIODES/美台

上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司

MURATA/村田
DIP-3

MURATA/村田

上传：深圳市凌旭科技有限公司