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BP6-06	文件：56.09 Kbytes Page：2 Pages	6ASINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
BU6-06	文件：56.26 Kbytes Page：2 Pages	6ASILICONSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
BU6-06F	文件：121.91 Kbytes Page：2 Pages	6ASILICONSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
DBI6-06	文件：152.28 Kbytes Page：2 Pages	Three-PhaseSi-BridgeRectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
DBI6-06	文件：188.78 Kbytes Page：2 Pages	Three-PhaseSi-BridgeRectifiers Three-PhaseSi-BridgeRectifiers ForwardCurrent:6A ReverseVoltage:50to1600V	SemikronSemikron 赛米控	Semikron
DBI6-06	文件：70.07 Kbytes Page：2 Pages	Three-PhaseSi-Bridge-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
DBI6-06	文件：192.6 Kbytes Page：2 Pages	Three-PhaseSi-BridgeRectifiers	SemikronSemikron 赛米控	Semikron
DBI6-06	文件：144.76 Kbytes Page：2 Pages	Three-PhaseSi-Bridge-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
DGSS6-06CC	文件：50.87 Kbytes Page：2 Pages	GalliumArsenideSchottkyRectifier GalliumArsenideSchottkyRectifier Secondgeneration ISOPLUS220TMElectricallyIsolatedBackSurface Features GaAsSchottkyDiodewithEnhancedBarrierHeight: •lowestoperatingforwardvoltagedropduetoadditionalinjectionofminoritycarriers •highswitchingspeed -lowjunction	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DSEE6-06CC	文件：509.03 Kbytes Page：2 Pages	HiPerDynFREDTMEpitaxialDiodeISOPLUS220ElectricallyIsolatedBackSurface Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowcathodetotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DSEP6-06AS	文件：48.41 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFREDTMEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour Applications •Antisaturationdiode •Snubberdiode •Freewheelingdiodeinconverters andmotorcontrolcircuits •Rectifiersinswitchmodepo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DSEP6-06BS	文件：107.53 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecoverySingleDiode LowLossandSoftRecovery HighPerformanceFastRecoveryDiode SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevoltagerated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
GBU6-06	文件：124.74 Kbytes Page：2 Pages	6ASILICONSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
GBU6-06-LFR	文件：124.81 Kbytes Page：2 Pages	6ASILICONSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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