3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM with Clock

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3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM with Clock

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3.3V, 8Mb, Nonvolatile SRAM with Clock

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3.3V, 8Mb, Nonvolatile SRAM with Clock

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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟

DS3065W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时，它对ML电池进行充电，同时为时钟和SRAM供电，并允许修改时钟寄存器和SRAM内容。一旦VCC掉电或超出容限，控制器对存储器内容加以写保护，改由电池为时钟和SRAM供电。DS3050W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。 \n• 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装 \n• 内置锂锰电池和充电器 \n• 集成实时时钟 \n• VCC超出容限后无条件写保护时钟和SRAM \n• VCC失效后自动切换至电池供电 \n• 复位输出可用作CPU监控 \n• 中断输出可用作CPU看门狗定时器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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3.3V、8Mb非易失SRAM，带有时钟

DS3065WP由静态RAM、非易失(NV)控制器和实时时钟(RTC)组成。这些组件封装在一个表面贴装基座上，需要随后安装DS9034IPCX+电池帽配件。VCC电源加载至该模块时，由该外部电源为时钟和SRAM供电，并允许修改时钟寄存器和SRAM内容。一旦VCC掉电或超出规定的电压范围，控制器将对存储器内容加以写保护，由电池为时钟和SRAM供电。 \n• 可回流焊，34引脚PowerCap封装 \n• 集成RTC \n• VCC超出容限时，对时钟和SRAM进行无条件写保护 \n• VCC电源失效后自动切换到电池供电 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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Package：256-BGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA

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Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP

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