3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM with Clock

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美信

3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM with Clock

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Dallas

3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM with Clock

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美信

3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM，带有时钟

DS3030W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时，对ML电池进行充电，同时为时钟和SRAM供电，此时允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。一旦VCC掉电或超出容限范围，控制器将对存储器内容加以写保护，并由电池为时钟和SRAM供电。DS3030W还带有一个电源监视器输出(/RST)和用户可编程中断输出(/IRQ/FT)。 \n• 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装 \n• 内置锂锰电池和充电器 \n• 集成实时时钟 \n• VCC超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM \n• VCC失效后自动切换至电池供电 \n• 复位输出可用作CPU监控电路 \n• 中断输出可用作CPU看门狗定时器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

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