DS2030Y中文资料单芯片、256k位非易失SRAM数据手册ADI规格书

描述 Description

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。

特性 Features

• 内部ML电池和充电器
• VCC电源失效后，自动切换到电池供电
• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
• 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用 Application

• 数据采集系统
• 游戏机
• PLC
• RAID系统和服务器
• 路由器/交换机

简介

DS2030Y属于集成电路（IC）的存储器。由ADI制造生产的DS2030Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。