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DS1330Y_10

文件：217.66 Kbytes

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256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

DS1330Y-100

文件：228.66 Kbytes

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4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION TheDS13504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondit

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

DS1330Y-100

文件：211 Kbytes

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1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION TheDS13451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondit

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

详细参数

  • 型号：

    DS1330Y_10

  • 制造商：

    DALLAS

  • 制造商全称：

    Dallas Semiconductor

  • 功能描述：

    256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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更多DS1330Y_10供应商 更新时间2025-4-29 15:58:00

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