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DS1287	文件：19.84 Kbytes Page：1 Pages	Real Time Clock DESCRIPTION TheDS1287RealTimeClockisdesignedtobeadirectreplacementfortheMC146818A.Foracomplete descriptionofoperatingconditions,electricalandmechanicalcharacteristics,bustiming,andpindescriptionsseetheDS12887datasheet. FEATURES •Drop-inreplacementf	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DS1287A	文件：17.21 Kbytes Page：1 Pages	Real Time Clock DESCRIPTION TheDS1287AisidenticaltotheDS1287withtheadditionoftheRAMclearpin.Foracompletedescriptionof operatingconditions,electricalandmechanicalcharacteristics,bustiming,andpindescriptionsseetheDS12887Adatasheet. FEATURES •Drop-inreplacementforIB	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
1287	文件：105.91 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰OriginalStrainReliefBushings	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1287	文件：503.41 Kbytes Page：1 Pages	250(6.4)PCQUICK-FITMALETABS	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
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ADS1287	文件：94.96 Kbytes Page：5 Pages	Low-Power,1000-SPS,Wide-Bandwidth,Analog-to-DigitalConverterWithProgrammableGainAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ADS1287D	文件：96.75 Kbytes Page：5 Pages	Dual,Simultaneous-Sampling,Low-Power,1000-SPS,Analog-to-DigitalConverterWithaProgrammableGainAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ADS1287DIRHBR	文件：96.75 Kbytes Page：5 Pages	Dual,Simultaneous-Sampling,Low-Power,1000-SPS,Analog-to-DigitalConverterWithaProgrammableGainAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ADS1287DIRHBT	文件：96.75 Kbytes Page：5 Pages	Dual,Simultaneous-Sampling,Low-Power,1000-SPS,Analog-to-DigitalConverterWithaProgrammableGainAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ADS1287IRHFR	文件：94.96 Kbytes Page：5 Pages	Low-Power,1000-SPS,Wide-Bandwidth,Analog-to-DigitalConverterWithProgrammableGainAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
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ENA1287	文件：245.12 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterAmplifier DC/DCConverterAmplifier Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Highspeedswitching •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.85mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogemf	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
ENA1287A	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-3A,LowVCE(sat),PNPSingleMCPH6 Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Highspeedswitching •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.85mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogemfreecompliance Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LB1287	文件：76.69 Kbytes Page：3 Pages	DarlingtonTransistorArray Overview TheseICshavecircuitconfigurationof5-unitDarlingtontransistorarrayconsistingofNPNtransistorsandarecapableofcausingsmallinputcurrenttoprovidelargecurrentdrive.Theycanbeadvantageouslyincorporatedinequipmentbecausethespeciallydesigned14-pinDIPmakessuc	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社

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