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FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP603AL	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FG603	文件：198.82 Kbytes Page：2 Pages	6.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERSLOWCOSTLOWLEAKAGE	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FGM603	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	SelectionGuide SANKENIGBT FGT313,FGT312,FGT412,FGT612,FGM622S,FGM603,FGM623S,MGD623N,MGD623S	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FR603	文件：196.65 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-6.0Amperes Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ●Fastswitchingforhighefficiency ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●6.0ampereoperationatTA=75withn	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
FR603	文件：33.37 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS Features •Axialleadtypedevicesforthroughholedesign. •Highcurrentcapability. •Fastswitchingforhighefficiency. •Highsurgecapability. •Siliconrubbercoatingchipjunction. •Lead-freepartsmeetRoHSrequirments. •Suffix-HindicatesHalogen-freeparts,ex.FR601-H.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FR603	文件：152.53 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES
FR603	文件：144.55 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPS.FASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD

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产品属性

产品编号：
DRV603EVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - 音频放大器
系列：
DirectPath™
包装：
散装
放大器类型：
AB 类
输出类型：
2 通道（立体声）
电压 - 供电：
3V ~ 4.5V
板类型：
完全填充
使用的 IC/零件：
DRV603
所含物品：
板
描述：
EVAL MODULE FOR DRV603

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更多DRV603EVM供应商更新时间2025-7-19 10:09:00

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