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DRA756	文件：7.5583 Mbytes Page：443 Pages	DRA75x,DRA74xInfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
DRA756	文件：101.91 Kbytes Page：5 Pages	SoCProcessorsforAutomotiveInfotainmentTechnicalBrief	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
FN-756X	文件：420.85 Kbytes Page：4 Pages	DCFeedthroughCapacitor	SCHAFFNERSchaffner International Ltd 夏弗纳	SCHAFFNER
GI756	文件：38.48 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highforwardcurrentcapability ♦Diffusedjunction ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,	GE GE Industrial Company	GE
GI756	文件：76.51 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC TYPI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI756	文件：83.31 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI756	文件：79.33 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC TYPI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI756	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentAxialPlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TY	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HMC756	文件：289.78 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC1WATTPOWERAMPLIFIER,16-24GHz GeneralDescription TheHMC756isathreestageGaAsPHEMTMMIC1WattPowerAmplifierwhichoperatesbetween16and24GHz.TheHMC756provides23dBofgain,and+33dBmofsaturatedoutputpowerat28PAEfroma+7Vsupply.TheRFI/OsareDCblockedandmatchedto50Ohmsforeaseofintegra	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC756	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
DR756-TP
制造商：
Micro Commercial Components(MCC)
功能描述：
Diode Switching 600V 6A 2-Pin Case R-6 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DR756-TP供应商更新时间2025-5-13 14:49:00

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