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DPLS160V-7	文件：174.03 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DNLS160V) •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •UltraSmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DPLS160V-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-563，SOT-666；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT563	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
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DPLS160V-7

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LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DNLS160V) •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •UltraSmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabi

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DPLS160V-7

文件：100 bytes

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Package：SOT-563，SOT-666；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT563

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

DNLS160V-7

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LOWVCE(SAT)NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DPLS160V) •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliab

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

产品属性

产品编号：
DPLS160V-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
330mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
220MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：
SOT-563
描述：
TRANS PNP 60V 1A SOT563

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