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DN030E	文件：56.65 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • Switching application • Interface circuit and driver circuit application Features • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • High packing density 文件：56.65 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
DN030E	文件：57.53 Kbytes Page：3 Pages	Extremely low collector-to-emitter saturation voltage 文件：57.53 Kbytes 页数：3 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
DN030E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
DN030S	文件：57 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Features · Extremely low collector-to-emitter saturation voltage( VCE(SAT) = 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) · Suitable for low voltage large current drivers · Complementary pair with DP030S · Switching Application 文件：57 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
DN030S	文件：267.91 Kbytes Page：4 Pages	Extremely low collector-to-emitter saturation voltage Features • Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) • Suitable for low voltage large current drivers • Complementary pair with DP030S • Switching Application 文件：267.91 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
DN030S	文件：267.91 Kbytes Page：4 Pages	Extremely low collector-to-emitter 文件：267.91 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

技术参数

Classifacation：
Single type
VCEO [V]：
12
IC[mA]：
300
PC[mW]：
150
hFE_Min：
200
hFE_Max：
450
hFE@ VCE [V]：
1
hFE@ IC[mA]：
100
VCE(sat) [V]_Max：
0.2
VCE(sat) [V]@ IC[mA]：
100
VCE(sat) [V]@ IB[mA]：
10
fT[MHz]_Typ：
300
fT[MHz]@ VCE [V]：
5
fT[MHz]@ IC[mA]：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	DN030E	原装AUK	19+	SOT-523	20000	原装现货假一罚十	询价
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更多DN030E供应商更新时间2025-12-24 16:03:00

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