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DMTH6016LPS	文件：624.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：624.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6016LPS-13	文件：624.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：624.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6016LPSQ	文件：419.07 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI 文件：419.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6016LPSQ-13	文件：419.07 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI 文件：419.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH6016LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nThermally Efficient Package ;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH6016LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\nThermally Efficient Package - Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\n<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMTH6016LPSQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.6 A
PD @ TA = +25°C：
37.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
24 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
17 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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