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DMT6004SPS	文件：465.62 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：465.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004SPS-13	文件：465.62 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：465.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004SPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Rated to +175°C – ideal for high ambient temperature environments\n100% Unclamped Inductive Switching – ensures more reliable and robust end application\nLow RDS(ON) – minimizes power losses\nLow QG – minimizes switching losses\nLead-Free Finish; RoHS compliant;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6004SPSW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
82 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
80.8 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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