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DMT6004LPS	文件：384.13 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：384.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004LPS	文件：514.37 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI 文件：514.37 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004LPS_18	文件：384.13 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：384.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004LPS-13	文件：384.13 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：384.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004LPS-13	文件：514.37 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI 文件：514.37 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6004LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
47.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
96.3 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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