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DMT31M6LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses \nExcellent QGD x RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC-DC Converters \nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT31M6LPS	文件：427.04 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：427.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4002LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI506	DIODES/美台上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES/美台
DMT6004LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMT6009LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
35.8 A
PD @ TA = +25°C：
2.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1.35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2.4 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
59.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
123 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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更多DMT31M6LPS供应商更新时间2025-12-3 14:17:00

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