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DMP34M4SPS	文件：514.22 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：514.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP34M4SPS-13	文件：514.22 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：514.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP34M4SPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and load switch. •100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications\n•High Conversion Efficiency\n•Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses\n•<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications\n•Lead-Free Finish; RoHS Compliant\n•Halogen and Ant;	Diodes 美台半导体	Diodes
HTB-34M4	文件：89.24 Kbytes Page：2 Pages	HTB Panel Mount Series 文件：89.24 Kbytes 页数：2 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.6 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
127 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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