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DMP2123L	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123L	文件：193.29 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON): •72mΩ@VGS=-4.5V •108mΩ@VGS=-2.7V •123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4)	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMP2123L	文件：2.53406 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Mosfet Application «+Load/PowerSwitching «InterfacingSwitching *LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMP2123L-7	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123LQ	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123LQ	文件：1.94327 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMP2123LQ GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DMP2123LQ-13	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2123LQ-7	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E2123S	文件：74.24 Kbytes Page：1 Pages	3C207/28BCFLEXOASFLEXSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
ECQB2123MF	文件：133.27 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
DMP2123L
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多DMP2123L供应商更新时间2025-5-3 16:30:00

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