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DMNH4026SSD	文件：487.23 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：487.23 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4026SSD-13	文件：487.23 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：487.23 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4026SSDQ	文件：486.75 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：486.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMNH4026SSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V +175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH4026SSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V +175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH4026SSDQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.5 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
24 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
32 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
19.1 nC
Packages：
SO-8

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