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DMN67D8LDW	文件：538.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：538.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN67D8LDW-13	文件：538.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：538.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN67D8LDW-7	文件：538.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：538.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN67D8LDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Dual N-Channel MOSFET\nLow On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nUltra-Small Surface Mount Package;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.27 A
PD @ TA = +25°C：
0.41 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

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更多DMN67D8LDW供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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