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DMN62D0SFD	文件：222.45 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0SFD_15	文件：222.45 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0U	文件：1.05114 Mbytes Page：3 Pages	60VDualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Fastswitching GreenDeviceAvailable Suitfor1.5VGateDriveApplications	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMN62D0U	文件：462.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0U	文件：462 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW	文件：543.89 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW	文件：545.19 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features DualN-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAnti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance:RDS(ON) LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedUpTo1kV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN62D0UV	文件：512.46 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features DualN-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101Standar	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
DMN62D0SFD
功能描述：
两极晶体管 - BJT MOSFET BVDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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