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DMN62D0SFD	文件：222.45 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：222.45 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0SFD_15	文件：222.45 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：222.45 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0SFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 60V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to portable , Battery packing and other power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN62D0U	文件：462 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0U	文件：462.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0U	文件：1.05114 Mbytes Page：3 Pages	60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Fast switching Green Device Available Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：1.05114 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.63 A
PD @ TA = +25°C：
0.43 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
0.87 nC
Packages：
X1-DFN1212-3

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