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DMN601DMK	文件：130.229 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • DC-DC Converters • Power Management Functions • Analog Switch Fea 文件：130.229 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601DMK-7	文件：130.229 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • DC-DC Converters • Power Management Functions • Analog Switch Fea 文件：130.229 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMN601DMK	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

详细参数

型号：
DMN601DM
功能描述：
MOSFET Dual N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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