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DMN5L06VA-7	文件：133.68 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DMN5L06VA-7

文件：133.68 Kbytes

Page：4 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •“Green”Device(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DMN5L06VA-7
功能描述：
MOSFET Dual N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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