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DMN53D0LDWQ	文件：545.38 Kbytes Page：7 Pages	50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN53D0LDWQ is suitable for 文件：545.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN53D0LDWQ-13	文件：545.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MM5；Package：SOT363；50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN53D0LDWQ is suitable for 文件：545.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN53D0LDWQ-7	文件：545.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MM5；Package：SOT363；50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN53D0LDWQ is suitable for 文件：545.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN53D0LDWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Dual N-Channel MOSFET\n•Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Small Surface Mount Package\n•ESD Protected\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•The DMN53D0LDWQ is suitable for automotive applicati;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.46 A
PD @ TA = +25°C：
0.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1600 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
4500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.4 nC
Packages：
SOT363

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