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DMN2075UDW	文件：202.91 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：202.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2075UDW_15	文件：202.91 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：202.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2075UDW-7	文件：202.91 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：202.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2075UDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 20V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.8 A
PD @ TA = +25°C：
0.58 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
48 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
59 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
70 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN2075UDW供应商更新时间2025-12-10 15:01:00

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