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DMN2016UTS_DIODES/美台半导体_DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET中天科工二部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号
：DMN2016UTS
- Automotive Compliant PPAP
：On Request*
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：20 V
- VGS
：8 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：N/A A
- PD @ TA = +25°C
：0.88 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：14.5 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：16.5 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：16.5 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：TSSOP-8
供应商
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