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DMG9926USD-13	文件：166.97 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •Fast	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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功能描述

制造商&上传企业

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DMG9926USD-13

文件：166.97 Kbytes

Page：6 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •Fast

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

详细参数

型号：
DMG9926USD-13
功能描述：
MOSFET MOSFET,N-CHANNEL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMG9926USD-13供应商更新时间2024-4-30 17:28:00

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