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DMG1013T	文件：147.94 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage 文件：147.94 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013T-7	文件：147.94 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage 文件：147.94 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013T_15	文件：205.88 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.88 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013TQ	文件：400.65 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：400.65 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013TQ-7	文件：400.65 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：400.65 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1013T	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	Techpublic 台舟电子	Techpublic
DMG1013T	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG1013TQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMG1013TQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
-20 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
-0.46 A
PD @ TA = +25°C：
0.27 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
700 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
900 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1300 mΩ
VGS (th) Max：
-1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.58 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMG1013T供应商更新时间2025-10-6 16:30:00

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