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DMC3016LNS	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nComplementary Pair MOSFET;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMC3016LNS	文件：486.95 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：486.95 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC3016LSD	文件：595.6 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：595.6 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3016LDN	文件：415.16 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：415.16 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3016LDV	文件：423.38 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：423.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
20
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
9.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
21
Packages：
PowerDI3333-8 (Type UXB)

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