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DMC1018UPD	文件：508.06 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.06 Kbytes 页数：10 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
DMC1018UPD	文件：508.06 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.06 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1018UPDWQ	文件：615.29 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features 100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production– Ensures More Reliable and Robust End Application High Conversion Efficiency Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses Low Input Capacitance Fast Switching Speed Wettable Flank for Improved Optical Inspection Totally Lead-Free & 文件：615.29 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1018UPDWQ-13	文件：615.29 Kbytes Page：10 Pages	丝印：C1018UDW；Package：PowerDI5060-8/SWP；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features 100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production– Ensures More Reliable and Robust End Application High Conversion Efficiency Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses Low Input Capacitance Fast Switching Speed Wettable Flank for Improved Optical Inspection Totally Lead-Free & 文件：615.29 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1018UPD-13	文件：508.06 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.06 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1018UPD-13	文件：508.06 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.06 Kbytes 页数：10 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
DMC1018UPD	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. Thermally Efficient Package - Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMC1018UPDWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
12
VGS：
8
IDS @ TA = +25°C：
9.5
PD @ TA = +25°C：
2.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
17
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
25
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
17.1
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
PowerDI5060-8 (Type C)

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