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DMB54D0UDW	文件：144.83 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR Features • N-Channel MOSFET and PNP Transistor in One Package • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected MOSFET Gate up to 2kV • Totally Lead- 文件：144.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMB54D0UDW-7	文件：144.83 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR Features • N-Channel MOSFET and PNP Transistor in One Package • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected MOSFET Gate up to 2kV • Totally Lead- 文件：144.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMB54D0UDW_15	文件：144.83 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR 文件：144.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMB54D0UDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMB54D0UDW-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 特殊用途描述：MOSFET NMOS+PNP TRANS SOT-363	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Config/ Polarity：
N + PNP
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
50 V
VGS：
12 ±V
IDSA +25ºC：
0.16 A
PDW +25ºC：
0.25 W
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A
RDS(ON) Max (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max (2.5V)：
5000 mΩ
VGS (th)：
1 V
Packages：
SOT363

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更多DMB54D0UDW供应商更新时间2025-10-6 13:28:00

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