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RJP30K3

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.1Vtyp •Highspeedswitchingtr=90nstyp,tf=250nstyp •LowleakcurrentICES=1µAmax •IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多DL-30K3供应商 更新时间2024-5-21 16:15:00