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|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
DGD2012S8-13
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
56000
- 产品封装：
N/A
- 生产批号：
24+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-12-2 11:06:00
首页>DGD2012S8-13>芯片详情
DGD2012S8-13 集成电路（IC）栅极驱动器
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
DGD2012S8-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
供应商
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