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DFCH3860MHDJAA

Operating Temperature Range

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MuRata

村田

FDB3860

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 30 A, 37 m廓

文件:303.25 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB3860

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 37mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:329.31 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDD3860

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:335.87 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    DFCH3860MHDJAA

  • 功能描述:

    EMI/RFI 抑制器及铁氧体 860MHz Dielectric Filter

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fair-Rite

  • 产品:

    Ferrite Cores

  • 阻抗:

    365 Ohms

  • 工作温度范围:

    - 55 C to + 125 C

  • 端接类型:

    SMD/SMT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DFCH3860MHDJAA
406
406
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日本MURATA
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原厂封装
2000
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MURATA/村田
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更多DFCH3860MHDJAA供应商 更新时间2025-10-5 16:20:00