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DLPA2005ERSLR	文件：1.51898 Mbytes Page：55 Pages	PowerManagementandLED/LampDriverIC	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DLPA2005ERSLT	文件：1.51898 Mbytes Page：55 Pages	PowerManagementandLED/LampDriverIC	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DMN2005K	文件：266.35 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,0.9VMax. •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •ESDProtec	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005K	文件：246.18 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005K	文件：396.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005LPK	文件：130.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •ESDProtectedGate •Qual	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005LPK	文件：209.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005UFG	文件：518.289 Kbytes Page：7 Pages	QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005UFGQ	文件：562.19 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowRDS(ON)—EnsuresOn-StateLossesareMinimized Small-FormFactorThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts Occupies33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction— EnsuresMor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2005UPS	文件：647.42 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
DFB2005
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器
包装：
托盘
二极管类型：
Single Phase
技术：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-SIP，TS-6P
供应商器件封装：
TS-6P
描述：
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A TS6P

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