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DF2S6.8UCT	文件：249.36 Kbytes Page：7 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S6.8UCT(TPL3)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-882；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 19VWM CST2	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-882；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 19VWM CST2	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8ASL	文件：297.34 Kbytes Page：8 Pages	ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar Applications •ESDProtection	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S6.8CT	文件：146.15 Kbytes Page：6 Pages	ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar Applications •ESDProtection	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S6.8FS	文件：116.19 Kbytes Page：3 Pages	ProductforUseOnlyasProtectionagainstElectrostaticDischarge(ESD).	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S6.8MFS	文件：315.59 Kbytes Page：8 Pages	ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar Applications •ESDProtection	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S6.8S	文件：120.17 Kbytes Page：3 Pages	ProductforUseOnlyasProtectionagainstElectrostaticDischarge(ESD).	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S6.8UFS	文件：182.91 Kbytes Page：7 Pages	ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
DF2S6.8UCT
功能描述：
ESD 抑制器 ESD Diode 6.8V BI 15pF 0.5 IR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道：
8 Channels
击穿电压：
8 V
电容：
45 pF
端接类型：
SMD/SMT
封装/箱体：
uQFN-16 功率耗散
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DF2S6.8UCT供应商更新时间2025-5-2 10:12:00

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