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DF2S23P2CTC	文件：355.8 Kbytes Page：8 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar Applications Mobile Equipment  Smartphones  Tablets  Notebook PCs Desktop PCs Features (1) Suitable for use with a 20 V signal line. (VRWM ≤ 21 V) (2) Protects devices with its high ESD performance. (VESD = ±30 kV (Contact / Air) @IEC61000-4-2) (3) Low dynamic resistance protects se 文件：355.8 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
DF2S23P2CTC	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD protection diode (standard type, single) Internal Connection：Single\nNumber of Circuits：1\nNumber of Protected Lines：1\nconfiguration：Unidirectional\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-30 kV \nPeak pulse current (IEC61000-4-5) IPP 14 A ;	Toshiba 东芝	Toshiba
DF2S23P2CTC,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，无引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 21VWM 35.7VC CST2C	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S23P2FU	文件：356.42 Kbytes Page：8 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar Applications Mobile Equipment  Smartphones  Tablets  Notebook PCs Desktop PCs Features (1) Suitable for use with a 20 V signal line. (VRWM ≤ 21 V) (2) Protects devices with its high ESD performance. (VESD = ±30 kV (Contact / Air) @IEC61000-4-2) (3) Low dynamic resistance protects se 文件：356.42 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name：
SOD-963 (CST2C)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 0.8 x 0.48
Configuration：
Unidirectional
ProtectedLines：
1
Application：
Power supply
Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)：
21
ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)：
21.5
CT (Typ.) (pF)：
160
Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)：
+/-30
Dynamicresistance(Typ.) (Ω)：
0.13
ReversecurrentIR (Max) (μA)：
0.1
Peak pulsecurrent (Max) (A)：
14
Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)：
24.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
亚泰电子科技有限公司	DF2S23P2CTC,L3F(T	TOSHIBA	22+	SMD	10000		询价
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