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DDTD113ZU-7	文件：66.74 Kbytes Page：3 Pages	NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •Built-InBiasingResistors •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Forautomotiveapplicationsrequiringspecif	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DDTD113ZU-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
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DDTD113ZU-7

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NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •Built-InBiasingResistors •SurfaceMountPackageSuitedforAutomatedAssembly •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Forautomotiveapplicationsrequiringspecif

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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DDTD113ZU-7-F

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Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

DDTB113ZU-7-F

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Page：3 Pages

PNPPRE-BIASED500mASOT-323SURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(DDTD) •Built-InBiasingResistors,R1,R2 •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)

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DIODES

详细参数

型号：
DDTD113ZU-7
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1KW 10KW
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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