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D40C7

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=10K-70K •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=50V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speed switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

D40C7

NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORD40C7typeisanNPNsiliconDarlingtonpowertransistordesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationswherehighgainisrequired. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

D410SLBMH

Intel
FCBGA559

IntelIntel Corporation

英特尔

相关企业:深圳市英科美电子有限公司

D425SLBXD

Intel
FCBGA559

IntelIntel Corporation

英特尔

相关企业:深圳市英科美电子有限公司

D44H11G

ON
TO-220

ON

详细参数

  • 型号:

    D40C7

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Darlington Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多D40C7供应商 更新时间2025-7-30 16:06:00