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NMOS128K16Kx8UVEPROM DESCRIPTION TheM27128Aisa131,072bitUVerasableandelectricallyprogrammablememoryEPROM.Itisorganizedas16,384wordsby8bits. TheM27128Aishousedina28PinWindowCeramicFrit-SealDual-in-Linepackage.Thetransparentlidallowstheusertoexposethechiptoultravioletlight | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
64K(8Kx8)UVERASABLEPROMs
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Advanced128K(16x8)UVErasablePROM Advanced128K(16x8)UVErasablePROM | IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司） | Intel | ||
NMOS128K16Kx8UVEPROM DESCRIPTION TheM27128Aisa131,072bitUVerasableandelectricallyprogrammablememoryEPROM.Itisorganizedas16,384wordsby8bits. TheM27128Aishousedina28PinWindowCeramicFrit-SealDual-in-Linepackage.Thetransparentlidallowstheusertoexposethechiptoultravioletlight | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
AVDVANCED64K(8Kx8)UVERASABLEPROM
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Advanced128K(16x8)UVErasablePROM Advanced128K(16x8)UVErasablePROM | IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司） | Intel | ||
128K(16Kx8)NMOSONETIMEPROGRAMMABLEROM ■FASTACCESSTIME:150ns ■0to+70°CSTANDARDTEMPERATURE RANGE SINGLE+5VPOWERSUPPLY +10VCCTOLERANCEAVAILABLE ■LOWSTANDBYCURRENT(40mAMAX) ■TTLCOMPATIBLEDURINGREADAND PROGRAM ■FASTPROGRAMMINGALGORITHM ELECTRONICSIGNATURE DESCRIPTION TheST27128APisa131,072-bitone | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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