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INA233	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
INA233AIDGSR	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
INA233AIDGST	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
IRF233	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF233	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF233	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

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详细参数

型号：
D233ERW
制造商：
MPD
制造商全称：
MicroPower Direct, LLC
功能描述：
Low Cost, Miniature 2W SIP, Wide Input DC/DC Con vert ers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	D234	TOS	2023+	TO-220	8700	原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	D234143	FERRAZ/罗兰	23+	888	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	D2347AA	MICROCHIP/微芯	18+	SOIC	35583	全新原装现货,可出样品,可开增值税发票	询价
深圳市兴灿科技有限公司	D2347AA	MICROCHIP/微芯	24+	SOIC	25500	授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售	询价
艾睿国际（香港）有限公司	D2347AA	MICROCHIP/微芯	2447	SOIC	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	D234860BP	ALLEGRO	23+	SOP24	65480		询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	D2349	TOSHIBA	24+	TO-3P	36500	原装现货/放心购买	询价

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