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D209L	文件：328.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEo=400V(Min) ·HighSwitchingSpeed ·HighReliability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingregulators ·Ultrasonicgenerators ·Highfrequencyinverters ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
D209L	文件：281.36 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed ◆HighVoltageCapability ◆WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
D209L	文件：70.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
DAN209	文件：194.36 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarSiliconDiodeArrays Ultra-High-SpeedSwitching Features 1)Smallsize. 2)Highreliability 3)Highspeed(trr:1.5ns,Typ.). 4)Automaticassemblyfeasible. Applications Ultra-High-SpeedSwitching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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详细参数

型号：
D209L
制造商：
WINSEMI
制造商全称：
WINSEMI
功能描述：
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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