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EMD06N10E	文件：231.6 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)6.5mΩ ID135A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
WSP06N10	文件：469.73 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WSP06N10	文件：987.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

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Page：6 Pages

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)6.5mΩ ID135A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

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N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

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